Trung Quốc đạt bước tiến về chip 3 nm

Nguồn ảnh: VnExpress

Các nhà nghiên cứu Trung Quốc đạt bước tiến ban đầu về kiến trúc quan trọng cho chip dưới 3 nanomet sử dụng công nghệ quang khắc DUV thế hệ cũ.

Theo SCMP, đây là đột phá của Viện Hàn lâm Khoa học Trung Quốc (CAS), cho thấy nước này đang tìm cách phát triển công nghệ sản xuất chip tiên tiến mà không phụ thuộc vào các thiết bị quang khắc hiện đại nhất.

Do các lệnh hạn chế xuất khẩu của Mỹ và chính phủ Hà Lan, hãng sản xuất thiết bị bán dẫn ASML không được phép bán máy quang khắc siêu cực tím (EUV) tiên tiến nhất cho Trung Quốc. Đây là công nghệ sử dụng ánh sáng có bước sóng 13,5 nm, ngắn hơn nhiều so với 193 nm của máy quang khắc cực tím sâu (DUV), nhờ đó có thể tạo ra những chi tiết nhỏ hơn trên wafer, theo ASML. Hiện Trung Quốc vẫn có thể nhập khẩu thiết bị DUV.

Digitimes đưa tin hôm 17/9, Ye Tianchun, chuyên gia tại Viện Vi điện tử thuộc CAS, cho biết đơn vị này bước đầu xác định được cách tạo ra kiến trúc cổng vòm, Gate-All-Around hay GAA, sử dụng máy DUV.

Khi bóng bán dẫn ngày càng nhỏ, dòng điện có thể bị rò rỉ khiến cho linh kiện hoạt động kém ổn định. GAA là bước tiến về kiến trúc giúp kiểm soát dòng điện tốt hơn. Samsung cho biết FinFET, kiến trúc phổ biến nhất hiện nay, bắt đầu gặp giới hạn ở các tiến trình dưới 4 nm, do đó hãng sử dụng GAA ở tiến trình 3 nm. TSMC cũng chuyển sang kiến trúc mới từ tiến trình 2 nm vào cuối năm 2025.

Logo của ASML (Hà Lan) xuất hiện tại một gian hàng trong khuôn khổ Hội chợ Nhập khẩu Quốc tế Trung Quốc (CIIE) ở Thượng Hải tháng 11/2025. Ảnh: DPA

Ông Ye Tianchun gọi đây là bước đầu cho sản xuất tiên tiến dưới 3 nm của Trung Quốc. Tuy nhiên, công nghệ của CAS vẫn còn cách xa khả năng sản xuất thương mại. Chuyên gia từ CAS cho biết nghiên cứu đang ở giai đoạn đầu và khả năng đưa GAA vào sản xuất hàng loạt sẽ phụ thuộc vào kết quả kiểm chứng trên các dây chuyền thực tế.

Bước tiến mới của cơ quan nghiên cứu chủ lực Trung Quốc diễn ra trong bối cảnh Mỹ tiếp tục siết kiểm soát xuất khẩu thiết bị bán dẫn. Một số đề xuất gần đây đề cập đến hạn chế xuất khẩu cả máy quang khắc DUV. Trong khi đó, các đơn vị nghiên cứu và công ty Trung Quốc tìm cách khai thác tối đa những thiết bị sản xuất chip thế hệ cũ bằng cách thay đổi kiến trúc và quy trình thiết kế.

Huawei cũng đang theo đuổi một hướng tiếp cận khác. Hồi tháng 5, công ty công bố "Định luật mở rộng Tau" và nói rằng các chip cao cấp phát triển theo phương pháp này có thể đạt mật độ transistor tương đương công nghệ 1,4 nm vào năm 2031 mà không cần máy EUV.

Nam Nguyễn tổng hợp

Trung Quốc cấm nhân viên chính phủ sử dụng iPhone

Trung Quốc cấm nhân viên chính phủ sử dụng iPhone

Các nhà nghiên cứu thuộc Viện Hàn lâm Khoa học Trung Quốc (CAS) vừa đạt bước tiến ban đầu trong việc xác định cách tạo ra kiến trúc Gate-All-Around (GAA) cho chip dưới 3 nanomet bằng máy quang khắc DUV thế hệ cũ. Kiến trúc GAA giúp kiểm soát dòng điện tốt hơn và hạn chế tình trạng rò rỉ khi kích thước bóng bán dẫn thu nhỏ, vốn là hạn chế mà công nghệ FinFET hiện nay gặp phải ở các tiến trình tiên tiến. Đây được xem là nỗ lực quan trọng nhằm tự chủ công nghệ bán dẫn trong bối cảnh các lệnh hạn chế xuất khẩu từ Mỹ và Hà Lan ngăn chặn ASML cung cấp máy quang khắc cực tím sâu (EUV) cho quốc gia này. Theo chuyên gia Ye Tianchun từ Viện Vi điện tử thuộc CAS, nghiên cứu hiện mới ở giai đoạn đầu và khả năng đưa kiến trúc GAA vào sản xuất hàng loạt vẫn phụ thuộc vào kết quả kiểm chứng thực tế. Trong khi Mỹ tiếp tục đề xuất thắt chặt kiểm soát xuất khẩu cả đối với thiết bị DUV, các đơn vị nghiên cứu và doanh nghiệp Trung Quốc buộc phải tối ưu hóa máy móc sẵn có bằng cách thay đổi kiến trúc và quy trình thiết kế. Điển hình như Huawei cũng đang theo đuổi phương pháp "Định luật mở rộng Tau" với tham vọng đạt mật độ bóng bán dẫn tương đương tiến trình 1,4 nanomet vào năm 2031 mà không phụ thuộc vào thiết bị EUV. Thành tựu ban đầu của CAS phản ánh chiến lược linh hoạt của ngành bán dẫn Trung Quốc trước các rào cản cấm vận kỹ thuật từ phương Tây. Việc tận dụng tối đa hạ tầng DUV hiện có giúp nước này duy trì động lực nghiên cứu các tiến trình dưới 3 nanomet dù thách thức thương mại hóa còn rất lớn. Sự dịch chuyển về kiến trúc sản xuất thể hiện quyết tâm tự lực cánh sinh của Trung Quốc trong cuộc đua công nghệ vi mạch toàn cầu.